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パワー半導体

ショットキーバリアダイオード

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ショットキーバリアダイオードはPN接合ではなく、金属電極と(n型)半導体接触によって生じる電位障壁(ショットキーバリア)を利用したダイオードです。
一般的なPN接合のダイオードと比較して、順方向電圧 (VF) 特性が低く、逆回復時間(trr)が短いため、スイッチング動作に適しています。 ただし逆電流 (IR) は従来のPNダイオードより大きくなります。

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特徴

①順方向電圧 (VF) 特性が低いが、逆電流(IR)が大きい。

左図のようにPN接合のダイオードに比べてVFが非常に小さいため、順方向の損失が小さく高効率です。
一方、逆電流(IR)が大きくなる特性となります。

②逆回復時間(trr)が短い

逆回復時間(trr)が短く、高速でのスイッチングが可能です。

ダイオードの使い分け

一般的な電源回路の場合
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