- パワー半導体
低背 高放熱 ディスクリート LPTO-263
既存品（TO-263外形）と比べ、低背化・高放熱化したLPTO-263外形についてご紹介します。
特長
- 低背化：TO-263外形品に比べ、厚みをおよそ60%低減しました。
- 高放熱化：チップと外部端子をクリップで接続し、背面のヒートシンクの面積を拡大することで高放熱化を実現しました。
- 互換性：TO-263外形品とほぼ同一設計で互換性がございます。
- アバランシェ保証型SBDもラインアップしております。
TO-263とのサイズ比較
低背化することで、TO-263と比べて厚みを約60%低減しました。
TO-263との発熱比較
10A/30V SBDにおいて
端子面を拡大し、内部半田付けをすることで、放熱性が向上しました。
30A/30V SBDにおいて
TO-263と比べて温度上昇は約35～50%低減し、放熱性が向上しました。
データは全て京セラ調べ
製品ラインアップ
| 区分 | 品名 | IO | VRRM | VFM@IFM Tj=25℃ |
IRM@VRRM Tj=25℃ |
Trr@IFM Tj=25℃ |
接合温度保証 | AEC-Q101準拠 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FRD | UCF10B40 | 10A | 400V | 1.35V | 20μA | 45ns | -40℃～+150℃ | 〇 |
| UCF20B40 | 20A | 400V | 1.30V | 20μA | 45ns | -55℃～+175℃ | 〇 | |
| UCU20D30 | 20A | 300V | 1.30V | 25μA | 33ns | - | ||
| SBD | UCHS10A065 | 10A | 65V | 0.65V | 0.1mA | - | -40℃～+150℃ | - |
| UCHS10A08 | 10A | 80V | 0.69V | 0.1mA | - | - | ||
| UCHS10A12 | 10A | 120V | 0.84V | 0.1mA | - | - | ||
| UCHS20A08 | 20A | 80V | 0.71V | 0.15mA | - | 〇 | ||
| UCHS20A12 | 20A | 120V | 0.87V | 0.1mA | - | - | ||
| UCHS30A08 | 30A | 80V | 0.79V | 0.1mA | - | - | ||
| UCHS30A12 | 30A | 120V | 0.90V | 0.1mA | - | - | ||
| UCQ30A03 | 30A | 30V | 0.50V | 1.5mA | - | - | ||
| UCQS10A065 | 10A | 65V | 0.61V | 0.4mA | - | - | ||
| UCQS20A045 | 20A | 45V | 0.54V | 0.6mA | - | 〇 | ||
| UCQS30A045 | 30A | 45V | 0.55V | 1.0mA | - | - | ||
| SBD （アバランシェ保証型SBD） |
UCHD30A09 | 30A | 90V | 0.79V | 0.1mA | 195W @PRRSM |
〇 |
用途
電源機器、一般産業機器
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