ME (SBD)

パワー半導体

ME (SBD)

ショットキーバリアダイオードはPN接合ではなく、金属電極と（n型）半導体接触によって生じる電位障壁（ショットキーバリア）を利用したダイオードです。一般的なPN接合のダイオードと比較して、順方向電圧 (VF) 特性が低く、逆回復時間（trr）が短いため、スイッチング動作に適しています。

一般産業機器、電源機器向け製品の他、AEC－Q101規格に準拠した信頼性試験をクリアし、車載用途に適した製品もございます。

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大電力・高信頼のハイパワーデバイス製品に、平型ダイオード1品種と平型サイリスタ2品種を新たに追加しました。合わせてハイパワー製品の3D Modelの公開を開始しておりますので、ご活用ください。

一般民生向けより厳しい車載向け信頼性規格AEC-Q101をクリアした車載向けディスクリート製品をご紹介いたします。

逆流防止スタック・シリコンドロッパースタック製品として、ダイオードのモジュールタイプ、平型タイプを冷却フィンに組み立てたスタック製品をご提案いたします。

シリーズ名の一覧から製品を検索することができます。

1.計画	計画中の製品です。サンプル対応可否、量産時期についてはお問い合わせください。
2.量産品	量産中の製品です。
3.NRND	(Not Recommended for New Design)　生産中止を予定しており、新モデルへの採用を控えていただきたい製品です。
4.生産中止品	生産を中止した製品です。