UCHD30A09
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making them suitable for switching operation. However, the reverse current (IR) is larger than that of conventional PN diodes.
생산 현황
Distributor Inventory |
재고
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생산 현황 | 2.양산품 |
포장 사양
포장 | Reel |
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Quantity per Package | 2000 |
제품 질량 | 0.590g |
Environmental data
RoHS 규제 대응 | Yes |
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엔지니어링 문서
규격표 / 도면
UCHD30A09-file.pdf (1535.33KB)3D Models
STEP_LPTO263.zip (52.73KB)시리즈 | TU |
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AEC-Q |
AEC-Q101 |
Outline |
TO-263LP |
VRRM [V] | 90V |
Io [A] | 30.0A |
IFSM [A] | 250.0A |
IR [mA] | 0.100mA |
VFM [V] | 0.79V |
PRRSM [W] | 195W |
사용온도범위 | -40℃ ~ 150℃ |
Rth(j-c) [°C/W] | 1.50°C/W |
Connection type | E |
포장 | Reel |
Quantity per Package | 2000 |
제품 질량 | 0.590g |
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